[发明专利]具有高度光取出率的半导体发光元件

权利要求书

1.一种制造一半导体发光元件的方法，包含下列步骤：

(a)制备一基板；

(b)形成一多层结构于该基板上，该多层结构包含一发光区；

(c)形成一最顶层于该多层结构上；

(d)形成一蚀刻阻抗层，该蚀刻阻抗层大体上覆盖该最顶层，致使该

最顶层的边界外露，该蚀刻阻抗层的边界呈现一第一图案；

(e)蚀刻该最顶层的该外露的边界；

(f)移除该蚀刻阻抗层；以及

(g)于该最顶层上形成至少一个电极；

其中该最顶层的侧壁呈现一与该第一图案相关的表面型态。

2.如权利要求1所述的方法，在步骤(e)和步骤(f)之间，进一步包含下列步骤：

(e-1)缩减该蚀刻阻抗层的该边界，致使该蚀刻阻抗层的该边界呈现第二图案；以及

(e-2)再次蚀刻该最顶层的该外露的边界；

其中该最顶层的该侧壁的表面型态与该第一图案及该第二图案相关。

3.如权利要求1所述的方法，其中该最顶层由铟锡氧化物或氧化锌所形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中该发光区包含选自由PN-结、双异质结以及多重量子阱所组成的组中的一项。

5.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻阻抗层由硅氧化物或光阻材料所形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻阻抗层由选自由镍以及铝所组成的组中的一项所形成。

7.如权利要求6所述的方法，其中该蚀刻阻抗层的具有该第一图案的该边界通过退火处理所形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中该基板由选自由硅、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝、四氧化镁二铝以及导电材料所组成的组中的一项所形成。

9.如权利要求1所述的方法，其中该基板的侧壁呈现与一第三图案相关的表面型态。

10.如权利要求1所述的方法，其中该多层结构的侧壁呈现与一第四图案相关的表面型态。

11.一种半导体发光元件，包含：

基板；

多层结构，该多层结构形成于该基板上并且包含一发光区；

最顶层，该最顶层形成于该多层结构上，该最顶层的侧壁的下部分呈现第一表面型态，该第一表面型态与一第一图案相关；以及

至少一个电极，该至少一个电极形成于该最顶层上。

12.如权利要求11所述的半导体发光元件，其中该最顶层由铟锡氧化物或氧化锌所形成。

13.如权利要求11所述的半导体发光元件，其中该发光区包含选自由PN-结、双异质结以及多重量子阱所组成的组中的一项。

14.如权利要求11所述的半导体发光元件，其中该基板由选自由硅、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝、四氧化镁二铝以及一导电材料所组成的组中的一项所形成。

15.如权利要求11所述的半导体发光元件，其中该最顶层的该侧壁的该第一表面型态利用蚀刻阻抗层而形成，该蚀刻阻抗层的边界呈现该第一图案。

16.如权利要求15项所述的半导体发光元件，其中该蚀刻阻抗层由硅氧化物或光阻材料所形成。

17.如权利要求15项所述的半导体发光元件，其中该蚀刻阻抗层由选自由镍以及铝所组成的组中的一项所形成。

18.如权利要求17项所述的半导体发光元件，其中该蚀刻阻抗层的具有该第一图案的该边界通过退火处理形成。

19.如权利要求15项所述的半导体发光元件，其中该最顶层的该侧壁的上部分呈现第二表面型态，该第二表面型态与一第二图案相关。

20.如权利要求11所述的半导体发光元件，其中该基板的侧壁呈现与一第三图案相关的表面型态。

21.如权利要求11所述的半导体发光元件，其中该多层结构的侧壁呈现与一第四图案相关的表面型态。