[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，其中在电流镜电路中对于所述电流镜电路内的寄生电阻设置有补偿所述寄生电阻的补偿电阻，并且所述电流镜电路具有至少两个薄膜晶体管。每个所述薄膜晶体管包括：具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜；栅极绝缘膜；栅电极；以及源电极或漏电极，并且所述补偿电阻补偿所述栅电极、源电极、以及漏电极中任何一个的寄生电阻。此外，补偿电阻分别具有包含与栅电极、源电极或漏电极、或者源区或漏区相同的材料的导电层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：电流镜电路；以及电连接到所述电流镜电路的光电转换装置，其中，所述电流镜电路包括：具有第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管；具有第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管；电连接到所述第一漏电极和所述第二漏电极的第一端子；电连接到所述第一源电极和所述第二源电极的第二端子；在第一路径中的第一电阻，所述第一路径是从所述第一端子经过所述第一漏电极和所述第一源电极到所述第二端子的路径；以及在第二路径中的第二电阻，所述第二路径是从所述第一栅电极到接点的路径，其中，所述第一栅电极通过所述接点电连接到所述第二栅电极，其中，所述第一栅电极电连接到所述第一漏电极，并且其中，所述第一栅电极、所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二栅电极、所述第二源电极、以及所述第二漏电极分别具有寄生电阻。