[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电流镜电路；以及

电连接到所述电流镜电路的光电转换装置，

其中，所述电流镜电路包括：

具有第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管；

具有第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管；

电连接到所述第一漏电极和所述第二漏电极的第一端子；

电连接到所述第一源电极和所述第二源电极的第二端子；

在第一路径中的第一电阻，所述第一路径是从所述第一端子到所述第一漏电极的路径；

在第二路径中的第二电阻，所述第二路径是从所述第一栅电极到接点的路径；以及

在第三路径中的第三电阻，所述第三路径是从所述第一源电极到所述第二端子的路径，

其中，所述第一栅电极通过所述接点电连接到所述第二栅电极，

其中，所述第一栅电极电连接到所述第一漏电极，并且

其中，所述第一栅电极、所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二栅电极、所述第二源电极、以及所述第二漏电极分别具有寄生电阻。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中，所述第一电阻和所述第二电阻各有包括与所述栅电极相同的材料的布线。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中，所述第一电阻和所述第二电阻各有包括与所述源电极及所述漏电极相同的材料的布线。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中，所述第一电阻和所述第二电阻各有包括与源区及漏区相同的材料的布线。

5.一种半导体器件，包括：

具有第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管；

具有第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管；

电连接到所述第一漏电极和所述第二漏电极的第一端子；

电连接到所述第一源电极和所述第二源电极的第二端子；

在第一路径中的第一电阻，所述第一路径是从所述第一端子经过所述第一漏电极和所述第一源电极到所述第二端子的路径；以及

在第二路径中的第二电阻，所述第二路径是从所述第一栅电极到接点的路径，

其中，所述第一栅电极通过所述接点电连接到所述第二栅电极，

其中，所述第一栅电极电连接到所述第一漏电极，

其中，所述第一栅电极、所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二栅电极、所述第二源电极、以及所述第二漏电极分别具有寄生电阻，

其中，所述第一路径的电阻值与第三路径的电阻值大致相同，所述第三路径是从所述第一端子经过所述第二漏电极和所述第二源电极到所述第二端子的路径，并且

其中，所述第二路径的电阻值与第四路径的电阻值大致相同，所述第四路径是从所述第二栅电极到所述接点的路径。

6.根据权利要求5的半导体器件，其中，所述第一电阻和所述第二电阻各有包括与所述栅电极相同的材料的布线。

7.根据权利要求5的半导体器件，其中，所述第一电阻和所述第二电阻各有包括与所述第一及第二源电极和所述第一及第二漏电极相同的材料的布线。

8.根据权利要求5的半导体器件，其中，所述第一电阻和所述第二电阻各有包括与第一及第二源区和第一及第二漏区相同的材料的布线。

9.一种半导体器件，包括：

具有第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管；

具有第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管；

电连接到所述第一漏电极和所述第二漏电极的第一端子；

电连接到所述第一源电极和所述第二源电极的第二端子；

在第一路径中的第一电阻，所述第一路径是从所述第一端子经过所述第一漏电极和所述第一源电极到所述第二端子的路径；

在第二路径中的第二电阻，所述第二路径是从所述第一端子经过所述第二漏电极和所述第二源电极到所述第二端子的路径；以及

在第三路径中的第三电阻，所述第三路径是从所述第一栅电极到接点的路径，

其中，所述第一栅电极通过所述接点电连接到所述第二栅电极，

其中，所述第一栅电极电连接到所述第一漏电极，

其中，所述第一路径的电阻值与所述第二路径的电阻值大致相同，并且

其中，所述第三路径的电阻值与第四路径的电阻值大致相同，所述第四路径是从所述第二栅电极到所述接点的路径。