[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 200710097734.6 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101295756A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 许晋源 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管结构，包含一基板、形成于基板上的一第一电性半导体层、形成于第一电性半导体层上的一发光层、形成于发光层上的一第二电性半导体层、形成于第二电性半导体层上的一阻障层，以及，形成于阻障层上的一接触层。其中，阻障层可用以避免接触层的金属扩散至第二电性半导体层。本发明的发光二极管结构，可利用形成于半导体叠层上的阻障层，避免接触层的金属原子因扩散进入半导体叠层中，也可通过阻障层的阻隔，防止接触层的金属与半导体叠层的表面发生反应或相变化，有效提升了发光二极管结构的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板；一第一电性半导体层，形成于该基板上；一发光层，形成于该第一电性半导体层上；一第二电性半导体层，形成于该发光层上；一阻障层，形成于该第二电性半导体层上；以及一接触层，形成于该阻障层上。
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