[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 200710097734.6 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101295756A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 许晋源 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：
一基板；
一第一电性半导体层，形成于该基板上；
一发光层，形成于该第一电性半导体层上；
一第二电性半导体层，形成于该发光层上；
一阻障层，形成于该第二电性半导体层上；以及
一接触层，形成于该阻障层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的材料为钨或其合金。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的材料为氧化镓或氧化镍。
4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的材料为氮化硅或氮化硼。
5.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：
一半导体迭层，包含一n型半导体层、一p型半导体层，以及位于该n型半导体层与该p型半导体层间的一发光层；
一阻障层，形成于该半导体迭层上；以及
一接触层，形成于该阻障层上。
6.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的材料为钨或其合金。
7.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的材料为氧化镓或氧化镍。
8.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的材料为氮化硅或氮化硼。
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