[发明专利]衬底、半导体器件及其形成方法

摘要

本发明涉及包括具有一个或多个第一器件区域和一个或多个第二器件区域位于其上的基础半导体衬底的混合取向绝缘体上半导体(SOI)衬底结构。一个或多个第一器件区域包括具有第一半导体器件层位于其上的绝缘层。一个或多个第二器件区域包括具有第二半导体器件层位于其上的反掺杂的半导体层。第一和第二半导体器件层具有不同的结晶取向。优选，第一(或第二)器件区域为n－FET器件区域，而且所述第一半导体器件层具有提高电子迁移率的结晶取向，而所述第二(或第一)器件区域为p－FET器件区域，而且所述第二半导体器件层具有提高电子迁移率的不同的表面结晶取向。

主权项

1.一种衬底结构，包括：基础半导体衬底，具有第一导电类型和第一结晶取向；一个或多个第一器件区域，位于所述基础半导体衬底之上，其中所述一个或多个第一器件区域包括具有第一半导体器件层位于其上的绝缘层，以及所述第一半导体器件层具有第二、不同的结晶取向；以及一个或多个第二器件区域，位于所述基础半导体衬底之上，其中所述一个或多个第二器件区域包括具有第二半导体器件层位于其上的第二、相反导电类型的反掺杂的半导体层，以及所述第二半导体器件层具有所述第一结晶取向。