[发明专利]在衬底上定位纳米颗粒的方法以及纳米颗粒阵列无效
| 申请号： | 200710096301.9 | 申请日： | 2007-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101055834A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | R·L·桑德斯特伦;C·B·穆拉伊;C·T·布莱克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/71;H01L23/00;B82B3/00;B82B1/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明旨在一种在构图的衬底上定位纳米颗粒的方法。该方法包括以下步骤：提供具有选择性地定位的凹陷的构图的衬底，并且对所述构图的衬底施加纳米颗粒的溶液或者悬浮液以形成润湿的衬底。使刮刷器构件刮过所述润湿的衬底的表面，以从所述润湿的衬底去除所述施加的纳米颗粒的一部分，从而使所述施加的纳米颗粒的大量的剩余部分设置在所述衬底的所述选择性地定位的凹陷中。本发明还旨在一种由定位的纳米颗粒制作碳纳米管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 定位 纳米 颗粒 方法 以及 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种在构图的衬底上定位纳米颗粒的方法，包括以下步骤：提供具有选择性地定位的凹陷的构图的衬底；对所述构图的衬底施加纳米颗粒的溶液或者悬浮液以形成润湿的衬底；以及使刮刷器构件刮过所述润湿的衬底的表面，以从所述润湿的衬底去除所述施加的纳米颗粒的一部分，从而将所述施加的纳米颗粒的大量的剩余部分设置在所述选择性地定位的凹陷中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
