[发明专利]在衬底上定位纳米颗粒的方法以及纳米颗粒阵列

权利要求书

1.一种在构图的衬底上定位纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

提供具有选择性地定位的凹陷的构图的衬底；

对所述构图的衬底施加纳米颗粒的溶液或者悬浮液以形成润湿的衬底；以及

使刮刷器构件刮过所述润湿的衬底的表面，以从所述润湿的衬底去除所述施加的纳米颗粒的一部分，从而将所述施加的纳米颗粒的大量的剩余部分设置在所述选择性地定位的凹陷中。

2.根据权利要求1的方法，还包括加热在所述选择性地定位的凹陷中设置有所述施加的纳米颗粒的所述剩余部分的所述刮刷的衬底。

3.根据权利要求1的方法，其中所述纳米颗粒具有约2nm至50nm的基本上均匀的平均直径。

4.根据权利要求3的方法，其中所述纳米颗粒具有约1nm至约10nm的平均直径。

5.根据权利要求1的方法，其中所述定位的凹陷的平均直径介于所述纳米颗粒的平均直径的一倍与两倍之间。

6.根据权利要求1的方法，还包括使所述刮刷的衬底与清洗剂溶液接触，随后使所述刮刷器构件刮过所述衬底的所述清洗剂接触的表面，并且加热在所述选择性地定位的凹陷中设置有所述施加的纳米颗粒的所述剩余部分的所述清洗的衬底。

7.根据权利要求1的方法，其中所述刮刷器构件是具有均匀边缘的弹性构件。

8.根据权利要求5的方法，其中所述刮刷器构件包括聚二甲基硅氧烷。

9.一种由权利要求2的选择性地定位的纳米颗粒制备的一维材料，其中所述纳米颗粒是用于生长所述一维材料的催化位置。

10.根据权利要求9的一维材料，其中通过所述定位的纳米颗粒的直径控制所述一维材料的直径。

11.根据权利要求10的一维材料，其是通过化学气相淀积形成的碳纳米管。

12.一种制作碳纳米管的方法，包括以下步骤：

提供具有选择性地定位的凹陷的构图的衬底；

对所述构图的衬底施加纳米颗粒的溶液或者悬浮液以形成润湿的衬底；

使刮刷器构件刮过所述润湿的衬底的表面，以从所述润湿的衬底去除所述施加的纳米颗粒的一部分，从而将所述施加的纳米颗粒的大量的剩余部分设置在所述选择性地定位的凹陷中；

加热在所述选择性地定位的凹陷中设置有所述施加的纳米颗粒的所述剩余部分的所述刮刷的衬底，以在所述加热的衬底上形成催化位置；以及

由所述催化位置形成所述碳纳米管。

13.根据权利要求12的方法，其中所述纳米颗粒包括氧化铁。

14.根据权利要求12的方法，还包括使所述刮刷的衬底与清洗剂溶液接触，随后使所述刮刷构件刮过所述衬底的所述清洗剂接触的表面。

15.根据权利要求12的方法，其中所述形成的碳纳米管具有10nm至50nm的平均直径。

16.根据权利要求12的方法，其中所述纳米颗粒具有1nm至50nm的平均直径。

17.一种在衬底的一个或者多个凹陷中定位的纳米颗粒阵列，其中所述凹陷和所述定位的纳米颗粒具有可比较的直径，以便将单个纳米颗粒定位在所述一个或者多个凹陷内。

18.根据权利要求17的纳米颗粒阵列，其中所述一个或者多个凹陷的平均直径介于所述纳米颗粒的平均直径的一倍与两倍之间。

19.一种由权利要求17的定位的纳米颗粒的阵列制备的一维材料，其中所述纳米颗粒是用于生长所述一维材料的催化位置。

20.根据权利要求19的一维材料，其是通过化学气相淀积形成的碳纳米管。