[发明专利]相变化存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710096096.6 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101286546A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 黄振明 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储装置及其制造方法。该相变化存储装置包括：基底；介电层，设置于该基底之上；相变化材料层，埋设于该介电层中；以及第一导电电极，埋设于该介电层内，并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸穿透该相变化材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储装置，包括：基底；介电层，设置于该基底之上；相变化材料层，埋设于该介电层中；以及第一导电电极，埋设于该介电层内，穿透该相变化材料层并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸。
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