[发明专利]相变化存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种相变化存储装置，包括：

基底；

介电层，设置于该基底之上；

相变化材料层，埋设于该介电层中；以及

第一导电电极，埋设于该介电层内，穿透该相变化材料层并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸。

2.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该相变化材料层沿圆周方向环绕该第一导电电极的一部。

3.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该相变化材料层包括硫属化合物。

4.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该相变化材料层沿水平于该介电层的表面的方向延伸设置于该介电层内。

5.如权利要求1所述的相变化存储装置，还包括第一导电层，设置于该基底与该介电层之间，其中该第一导电电极连结该第一导电层。

6.如权利要求5所述的相变化存储装置，还包括第二导电层，设置于该介电层之上，电连接该相变化材料层。

7.如权利要求6所述的相变化存储装置，还包括第二导电电极，设置于该介电层内，以连结该相变化材料层与该第二导电层。

8.如权利要求1所述的相变化存储装置，还包括有源组件，设置于基底上且为该介电层所覆盖，其中该第一导电电极连结该有源组件。

9.如权利要求8所述的相变化存储装置，其中该有源组件为晶体管，而该第一导电电极连结于该晶体管的源极/漏极区。

10.如权利要求9所述的相变化存储装置，还包括导电层，设置于该介电层之上，电连接该相变化材料层。

11.如权利要求6所述的相变化存储装置，还包括第二导电电极，设置于该介电层的另一部内，以连结该相变化材料层与该导电层。

12.如权利要求6所述的相变化存储装置，其中该第二导电电极沿垂直于该介电层的表面的方向延伸穿透该相变化材料层，该相变化材料层沿圆周方向环绕该第二导电电极的一部。

13.一种相变化装置的制造方法，包括下列步骤：

提供基底；

形成第一介电层，覆盖该基底；

形成相变化材料层于该第一介电层的一部上；

形成第二介电层于该第一介电层上，并覆盖该相变化材料层；

形成第一开口，该第一开口沿垂直于该基底的表面的方向穿透该第二介电层、该相变化材料层、与该第一介电层；

于该第一开口内形成第一导电电极；

形成第三介电层，覆盖该第二介电层与该第一导电电极；

形成第二开口，该第二开口沿垂直于该基底的顶面的方向穿透该第三介电层与该第二介电层，露出该相变化材料层的一部；以及

于该第二开口内形成第二导电电极。

14.如权利要求13所述的相变化存储装置的制造方法，在形成第一介电层之前，还包括形成第一导电层的步骤，其中该第一导电电极连结该第一导电层。

15.如权利要求14所述的相变化存储装置的制造方法，在该第二开口内形成第二导电电极时，同时于该第三介电层上形成第二导电层。

16.如权利要求13所述的相变化存储装置的制造方法，在形成该第一介电层之前，还包括于该基底上形成有源组件的步骤，其中该第一导电电极连结该有源组件。

17.如权利要求16所述的相变化存储装置的制造方法，在该第二开口内形成第二导电电极时，同时于该第三介电层上形成第二导电层。

18.如权利要求13所述的相变化存储装置的制造方法，其中该相变化材料层沿圆周方向环绕该第一导电电极的一部。

19.如权利要求13所述的相变化存储装置的制造方法，其中该相变化材料层完全环绕该第一导电电极的一部。

20.如权利要求13所述的相变化存储装置的制造方法，其中该相变化材料层包括硫属化合物。