[发明专利]存储单元阵列及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体存储单元阵列及其制造方法，其中在基底上形成多个位线扩散，并且在所述位线扩散之间形成存储单元，各对单元具有相邻于所述位线扩散的第一和第二导体、在所述第一和第二导体旁边的浮置栅极、在所述浮置栅极之间的擦除栅极、和在所述擦除栅极下面的基底内的源极线扩散，和电容耦合到所述浮置栅极的至少一个附加导体。在一些公开的实施例中，相邻于所述位线扩散的导体是字线，并且附加导体由耦合到浮置栅极对应之一的耦合栅极对或者耦合到两个浮置栅极的单耦合栅极组成。在另一实施例中，相邻于所述位线扩散的导体是编程线，并且第三导体是在垂直于所述编程线和所述扩散方向上延伸的字线。

主权项

1.一种存储单元阵列，包括：第一导电类型的基底、在第一基底上的第二导电类型的空间上隔离的第一和第二区、相邻于所述第一和第二区的第一和第二字线、在第一区和第二区之间的基底上的第二导电类型的第三区、在第三区上方的擦除栅极、在所述字线和擦除栅极之间的第一和第二浮置栅极、覆盖所述浮置栅极的耦合栅极、在垂直于所述字线的方向上延伸的位线，和互连第一和第二区和所述位线的位线接触。