[发明专利]存储单元阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种存储单元阵列，包括：基底、在所述基底中的第一和第二位线扩散、相邻于所述位线扩散的第一和第二字线、在所述位线扩散之间的中间的基底中的源极线扩散、在所述源极线扩散上方的擦除栅极、设置在所述字线和擦除栅极之间且具有高于所述字线和擦除栅极的高度的第一和第二浮置栅极、覆盖所述浮置栅极以及所述字线和擦除栅极的边缘部的耦合栅极、在垂直于所述字线的方向上延伸的位线、和互连所述位线扩散和所述位线的位线接触。

2.根据权利要求1的存储单元阵列，其中所述耦合栅极比浮置栅极宽，并且所述耦合栅极的下部覆盖并且包围所述浮置栅极的上侧部从而提供所述耦合栅极和浮置栅极的上侧部之间以及所述耦合栅极和浮置栅极的顶面之间的电容耦合。

3.根据权利要求1的存储单元阵列，其中正电压施加到所述擦除栅极并且负电压施加到所选择单元的耦合栅极从而产生从所述浮置栅极到擦除栅极的电子隧道效应。

4.根据权利要求1的存储单元阵列，还包括所述擦除栅极和源极线扩散之间足够厚度的栅极氧化物，使得所述擦除栅极可以保持足够高的电压从而产生从浮置栅极之一至擦除栅极的电子隧道效不引起栅极氧化物的击穿。

5.根据权利要求4的存储单元阵列，其中所述栅极氧化物具有150至250的量级的厚度，并且将10-15V量级的电压施加到所述擦除栅极上。

6.一种存储单元阵列，包括：基底、在所述基底中的多个位线扩散、在所述位线上方的第一方向上延伸的位线、和按对在所述位线扩散之间形成的存储单元，所述各对单元具有相邻于所述位线扩散且垂直于所述位线的字线、字线旁的且具有高于所述字线的高度的浮置栅极、电容耦合到所述浮置栅极且覆盖部分的所述字线的至少一个耦合栅极、所述浮置栅极之间的擦除栅极、在所述擦除栅极下面的基底中的源极线扩散、和互连位线扩散和位线之一的位线接触。

7.根据权利要求6的存储单元阵列，其中在每对中分离的耦合栅极在两个单元中耦合到所述浮置栅极。

8.根据权利要求7的存储单元阵列，其中所述耦合栅极的下部覆盖并且包围所述浮置栅极的上侧部从而提供所述耦合栅极和浮置栅极的上侧部之间以及所述耦合栅极和浮置栅极的顶面之间的电容耦合。

9.根据权利要求6的存储单元阵列，其中在每对中单耦合栅极在两个单元中耦合到所述浮置栅极。

10.根据权利要求9的存储单元阵列，其中所述耦合栅极具有中心干线和多个从所述干线延伸并且覆盖所述浮置栅极的支线。

11.根据权利要求9的存储单元阵列，其中所述耦合栅极的下部覆盖并且包围所述浮置栅极的上部从而提供所述耦合栅极和浮置栅极之间的延伸的电容耦合。

12.一种存储单元阵列，包括：基底；在所述基底中的多个位线扩散；按对在所述位线扩散之间形成的存储单元，各对单元具有相邻于所述位线扩散的第一和第二导体、设置在所述第一和第二导体旁边且具有高于所述第一和第二导体的高度的浮置栅极、在所述浮置栅极之间的擦除栅极、和在所述擦除栅极下面的基底中的源极线扩散；和至少一个附加导体，覆盖并且包围所述浮置栅极的上侧部从而提供所述耦合栅极和浮置栅极的上侧部之间以及所述耦合栅极和浮置栅极的顶面之间的电容耦合。

13.根据权利要求12的存储单元阵列，其中所述至少一个附加导体包括在平行于所述擦除栅极的方向上延伸并且在所述对中耦合到浮置栅极的对应之一的耦合栅极对。

14.根据权利要求12的存储单元阵列，其中所述至少一个附加导体是在平行于所述擦除栅极方向上延伸并且在所述对中耦合到两个浮置栅极的单耦合栅极。

15.根据权利要求12的存储单元阵列，其中所述至少一个附加导体是在垂直于所述第一和第二导体的方向上延伸并且在所述对中耦合到两个浮置栅极的字线。