[发明专利]一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法无效
| 申请号： | 200710094226.2 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101436537A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，该方法包括如下步骤：第1步，采用HDP CVD工艺在带有图形的硅片上淀积磷硅玻璃，所述磷硅玻璃覆盖硅片上的图形并在图形周围形成花苞，所述磷硅玻璃的主体至少高出图形5nm。第2步，采用溅射工艺溅射第1步淀积的磷硅玻璃，至少将所述花苞的顶部通过溅射去除，同时仍保留一定厚度的磷硅玻璃覆盖图形。第3步，采用HDP CVD工艺再次淀积磷硅玻璃，直至所述磷硅玻璃达到预定厚度。本发明可以有效去除磷硅玻璃的花苞顶部，从而提高后续化学机械抛光的平坦性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 玻璃 花苞 顶部 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，其特征是：该方法包括如下步骤：第1步，采用HDP CVD工艺在带有图形的硅片上淀积磷硅玻璃，所述磷硅玻璃覆盖硅片上的图形并在图形周围形成花苞，所述磷硅玻璃的主体至少高出图形5nm；第2步，采用溅射工艺溅射第1步淀积的磷硅玻璃，至少将所述花苞的顶部通过溅射去除，同时仍保留一定厚度的磷硅玻璃覆盖图形；第3步，采用HDP CVD工艺再次淀积磷硅玻璃，直至所述磷硅玻璃达到预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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