[发明专利]一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法

权利要求书

1.一种去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，其特征是：该方法包括如下步骤：

第1步，采用HDP CVD工艺在带有图形的硅片上淀积磷硅玻璃，所述磷硅玻璃覆盖硅片上的图形并在图形周围形成花苞，所述磷硅玻璃的主体至少高出图形5nm；

第2步，采用溅射工艺溅射第1步淀积的磷硅玻璃，至少将所述花苞的顶部通过溅射去除，同时仍保留一定厚度的磷硅玻璃覆盖图形；

第3步，采用HDP CVD工艺再次淀积磷硅玻璃，直至所述磷硅玻璃达到预定厚度。

2.根据权利要求1所述的去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，其特征是：所述花苞为磷硅玻璃，所述花苞的磷含量比磷硅玻璃的主体的磷含量低。

3.根据权利要求1所述的去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，其特征是：所述方法的第1步中，所述花苞的顶部凸出于所述磷硅玻璃的主体。

4.根据权利要求1所述的去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，其特征是：所述方法的第2步中，溅射的等离子体气体源包括氧气、氩气、氮气中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的去除磷硅玻璃的花苞顶部的方法，其特征是：所述方法的第3步中，再次淀积的磷硅玻璃具有均匀的磷含量。