[发明专利]改善物理溅射工艺稳定性的方法无效
| 申请号： | 200710093841.1 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101314843A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王海军;方精训;谢煊;季芝慧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善物理溅射工艺稳定性的方法，在去水蒸气化腔之后通过运送腔连接多个溅射腔，进行溅射工艺的芯片在所述去水蒸气化腔内进行去水蒸气工艺，之后进入所述运送腔，所述运送腔按照先进先出的原则依次将所述运送腔中的晶片运送至空闲的溅射腔中，之后由溅射腔对晶片进行溅射工艺；去水蒸气工艺时间为A，从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间为B，溅射工艺的时间为C，从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间为D，所述溅射腔的数量为n，则需要满足n×(A+B)＞C+D。本发明避免了晶片进入溅射腔之前等待时间过长而造成晶片不能满足工艺要求而导致报废的情况的发生，大大提高了晶片生产的合格率，降低了生产的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 物理 溅射 工艺 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，在去水蒸气化腔之后通过运送腔连接多个溅射腔，进行溅射工艺的芯片在所述去水蒸气化腔内进行去水蒸气工艺，之后进入所述运送腔，所述运送腔按照先进先出的原则依次将所述运送腔中的晶片运送至空闲的溅射腔中，之后由溅射腔对晶片进行溅射工艺；去水蒸气工艺时间为A，从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间为B，溅射工艺的时间为C，从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间为D，所述溅射腔的数量为n，则需要满足n×(A+B)＞C+D。
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