[发明专利]改善物理溅射工艺稳定性的方法无效
| 申请号： | 200710093841.1 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101314843A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王海军;方精训;谢煊;季芝慧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 物理 溅射 工艺 稳定性 方法 | ||
1.一种改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，在去水蒸气化腔之后通过运送腔连接多个溅射腔，进行溅射工艺的芯片在所述去水蒸气化腔内进行去水蒸气工艺，之后进入所述运送腔，所述运送腔按照先进先出的原则依次将所述运送腔中的晶片运送至空闲的溅射腔中，之后由溅射腔对晶片进行溅射工艺；去水蒸气工艺时间为A，从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间为B，溅射工艺的时间为C，从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间为D，所述溅射腔的数量为n，则需要满足n×(A+B)＞C+D。
2.根据权利要求1所述的改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，通过调整从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间B，来满足n×(A+B)＞C+D。
3.根据权利要求1所述的改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，通过调整溅射工艺的时间C，来满足n×(A+B)＞C+D。
4.根据权利要求1所述的改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，通过调整从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间D，来满足n×(A+B)＞C+D。
5.根据权利要求1所述的改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，通过增加所述溅射腔的数量为n，来满足n×(A+B)＞C+D。
6.根据权利要求1所述的改善物理溅射工艺稳定性的方法，其特征在于，所述从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间B介于0.5分钟至5分钟，以满足方块电阻和电阻率的要求。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710093841.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于彩色铝箔内衬纸上色的水性涂料
- 下一篇：数字型压力表
- 同类专利
- 专利分类
