[发明专利]清洗CVD腔室的热F2蚀刻方法无效
| 申请号： | 200710093278.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101225511A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·D·约翰逊;P·J·马劳利斯;V·沃萨;R·G·里奇韦 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本说明书中公开了一种使用预稀释的氟气的热活化源对半导体加工腔室中不希望有的氮化硅的设备表面进行热清洗的方法。该方法包括：(a)使在惰性气体中预稀释的氟气流过所述腔室；(b)使所述腔室保持在230℃－565℃的升高的温度下以热离解氟气；(c)通过(b)中热解离的氟气与不希望有的氮化硅之间的化学反应生成挥发性反应产物，从表面清除不希望有的氮化硅；(d)从所述腔室中去除挥发性反应产物。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 cvd sub 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用预稀释的氟气对半导体加工腔室中不希望有的氮化硅的设备表面热清洗的方法，包括：(a)使在惰性气体中预稀释的氟气流过所述腔室；(b)使所述腔室保持在230℃-565℃的升高的温度下以热离解氟气；(c)通过(b)中热解离的氟气与不希望有的氮化硅之间的化学反应生成挥发性反应产物，从表面清除不希望有的氮化硅；(d)从所述腔室中去除挥发性反应产物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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