[发明专利]清洗CVD腔室的热F2蚀刻方法

权利要求书

1.一种使用预稀释的氟气对半导体加工腔室中不希望有的氮化硅的设备表面热清洗的方法，包括：

(a)使在惰性气体中预稀释的氟气流过所述腔室；

(b)使所述腔室保持在230℃-565℃的升高的温度下以热离解氟气；

(c)通过(b)中热解离的氟气与不希望有的氮化硅之间的化学反应生成挥发性反应产物，从表面清除不希望有的氮化硅；

(d)从所述腔室中去除挥发性反应产物。

2.权利要求1的方法，其中所述升高的温度是450-550℃。

3.权利要求1或2的方法，其中惰性气体中预稀释的氟气的氟气浓度不大于20％。

4.权利要求1或2的方法，其中惰性气体选自氮气、氩气、氦气及其混合物。

5.权利要求1或2的方法，其中进一步包括(e)使所述腔室压力保持在10至101托的范围内。

6.权利要求1或2的方法，其中通过有机胺取代的硅烷或有机取代的硅烷与氨反应沉积氮化硅。

7.权利要求6的方法，其中有机胺取代的硅烷选自双叔丁基胺硅烷(BTBAS)、二异丙基胺硅烷DIPAS和二乙基胺硅烷(DEAS)，而有机取代的硅烷选自四烯丙基硅烷和三乙烯基硅烷以及双叔丁基氨基硅烷。

8.权利要求1或2的方法，其中氮化硅通过二氯硅烷(DCS)与氨的反应而沉积。