[发明专利]一种碳纳米管纳电子器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200710090362.4 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101252145A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 梁学磊;张志勇;王胜;姚琨;胡又凡;陈清;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L23/48;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余功勋 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种以碳纳米管为基的纳电子器件，包括碳纳米管和与之连接的电极，其特征在于，与碳纳米管连接的电极是金属钪电极。
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