[发明专利]复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种利用复合硬掩模层的金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包含有提供表面包含有介电层与多晶硅层的基底，形成包含有中间硬掩模与覆盖该中间硬掩模侧壁的侧壁硬掩模的复合硬掩模于该多晶硅层上。进行第一蚀刻工艺，以该复合硬掩模为蚀刻掩模蚀刻该多晶硅层与该介电层，形成栅极结构；进行第二蚀刻工艺，在该栅极结构两侧的基底中分别形成凹槽。之后进行选择性外延成长工艺，在这些凹槽内分别形成外延层。本发明还公开了一种复合硬掩模层以及金属氧化物半导体晶体管。

主权项

1. 一种利用复合硬掩模层的金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包含有：提供基底，该基底表面包含有介电层与多晶硅层；形成至少一复合硬掩模于该多晶硅层上，且该复合硬掩模包含有中间硬掩模与覆盖该中间硬掩模侧壁的侧壁硬掩模；进行第一蚀刻工艺，利用该复合硬掩模为蚀刻掩模蚀刻该多晶硅层与该介电层，以形成栅极结构；进行第二蚀刻工艺，以于该栅极结构两侧的基底中分别形成凹槽；以及进行选择性外延成长工艺，以于这些凹槽内分别形成外延层。