[发明专利]晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088158.9 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101043026A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 森若智昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/04;H01L31/036;H01L21/20;H01L21/268;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 晶体半导体薄膜，半导体器件及其制造方法：在衬底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上形成非晶半导体薄膜；在非晶半导体薄膜上形成薄膜厚度等于或大于200nm且等于或小于1000nm，包含等于或小于10原子百分比的氧，并且氮与硅的相对比例等于或大于1.3且等于或小于1.5的氮化硅薄膜；使用透射氮化硅薄膜的连续波激光或者重复率等于或大于10MHz波长的激光照射非晶半导体薄膜，以熔化和随后晶化该非晶半导体薄膜，从而形成晶体半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 半导体 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体半导体薄膜，包括：在衬底上的包含多个晶粒的半导体薄膜，其中在半导体薄膜的第一平面，±10°的角度波动范围内<001>的取向的晶粒比例等于或大于60％且小于100％，其中在半导体薄膜的第二平面，±10°的角度波动范围内<001>、<101>、<201>、<301>、<401>、<501>或<601>的任何一个的取向的晶粒比例等于或大于60％且小于100％，其中在半导体薄膜的第三平面，±10°的角度波动范围内<001>、<101>、<201>、<301>、<401>、<501>或<601>的任何一个的取向的晶粒比例等于或大于60％且小于100％，其中第一平面的法向矢量垂直于衬底表面，其中第二平面的法向矢量平行于衬底表面并且平行于晶粒的晶体生长方向，以及其中第三平面的法向矢量平行于衬底表面并且垂直于晶粒的晶体生长方向。
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