[发明专利]晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088158.9 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101043026A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 森若智昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/04;H01L31/036;H01L21/20;H01L21/268;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 半导体 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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