[发明专利]金刚石膜形成方法和它的膜形成夹具无效
| 申请号： | 200710086288.9 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101037767A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吉田博昭;柳瀬勇;小野富男;佐久间尚志;铃木真理子;酒井忠司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种金刚石膜形成方法，包括：在低于650℃的温度，在至少包括碳和氢气的第一混合气体中，在金属材料(101)和半导体材料(102)的混合体中，在金属材料(103)的表面上形成金刚石晶核(103)，并且在低于750℃的温度，在至少包括碳和氢气的第二混合气体中，使形成在所述混合体中的金刚石晶核(103)生长以形成金刚石膜(104)。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 形成 方法 夹具 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石膜形成方法，其特征在于，包括：在低于650℃的温度，在至少包括碳和氢气的第一混合气体中，在金属材料和半导体材料的混合体中，在金属材料的表面上形成金刚石晶核；和在低于750℃的温度，在至少包括碳和氢气的第二混合气体中，使所述形成在混合体中的金刚石晶核生长以形成金刚石膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
