[发明专利]集成无源器件衬底无效
| 申请号： | 200710085789.5 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101118880A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 尹农·德干尼;于·凡;查利·C·高;毛利恩·劳;坤全·孙;利果·孙 | 申请（专利权）人： | 赛骑有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述在用氧化物层覆盖的硅衬底上形成的一种集成无源器件(IPD)。通过在硅表面内形成陷阱中心来使在硅/氧化物界面上不希望有的累积电荷变成固定的。由介入在硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层产生陷阱中心。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 无源 器件 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造集成无源器件(IPD)的方法，包括步骤：a.提供硅晶片衬底，硅晶片衬底具有本征导电率，并且具有多个IPD部位，b.在硅晶片衬底上形成多晶硅层，c.在多晶硅层上形成绝缘层，和d.在IPD部位上形成至少一个薄膜无源器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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