[发明专利]场发射偏振光源有效
| 申请号： | 200710077111.2 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101388319A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 冯辰;柳鹏;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J63/02 | 分类号： | H01J63/02;H01J63/06;F21V9/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在该阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其中，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管择优取向排列。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 偏振 光源 | ||
【主权项】：
1. 一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其特征在于，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管择优取向排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710077111.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
