[发明专利]场发射偏振光源有效
| 申请号： | 200710077111.2 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101388319A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 冯辰;柳鹏;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J63/02 | 分类号： | H01J63/02;H01J63/06;F21V9/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 偏振 光源 | ||
1.一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其特征在于，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。
2.如权利要求1所述的场发射偏振光源，其特征在于，该碳纳米管薄膜结构包括至少一层碳纳米管薄膜。
3.如权利要求2所述的场发射偏振光源，其特征在于，该碳纳米管薄膜为多个首尾相连的碳纳米管以择优取向排列形成的薄膜结构。
4.如权利要求2所述的场发射偏振光源，其特征在于，该碳纳米管薄膜之间通过范德华力连接。
5.如权利要求2所述的场发射偏振光源，其特征在于，该碳纳米管薄膜的层数大于10层。
6.如权利要求2所述的场发射偏振光源，其特征在于，该碳纳米管薄膜的厚度为0.01微米-100微米。
7.如权利要求1所述的场发射偏振光源，其特征在于，该碳纳米管薄膜结构的偏振吸收度为0.85-0.9。
8.如权利要求1所述的场发射偏振光源，其特征在于，该场发射偏振光源进一步包括多个侧壁，该侧壁位于阴极导电层和荧光层之间。
9.如权利要求1所述的场发射偏振光源，其特征在于，该场发射偏振光源进一步包括一栅极，该栅极位于阴极导电层和荧光层之间。
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