[发明专利]一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器

摘要

一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片上。所述光电二极管和所述前置放大用场效应管分别位于所述半导体硅片的正面和背面，所述光电二极管和所述前置放大用场效应管之间通过蚀刻连接。本发明的有益效果在于：本发明将光电二极管和前置放大用场效应管集中安装在同一片硅片上，且通过蚀刻连接，这样一来前置放大用场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，大大降低分布电容，其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。

主权项

1. 一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，其特征在于：在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片上。