[发明专利]一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器

权利要求书

1. 一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，其特征在于：在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片上。

2. 根据权利要求1所述低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，其特征在于：所述光电二极管和所述前置放大用场效应管分别位于所述半导体硅片的正面和背面，所述光电二极管和所述前置放大用场效应管之间通过蚀刻连接。