[发明专利]一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法

摘要

本发明涉及的CsLiB₆O₁₀晶体助熔剂生长方法：将CsLiB₆O₁₀与助熔剂按摩尔比配料，进行预处理得熔体；助熔剂为M′X、M″X₂、PbO、Bi₂O₃、M′₃Mo₃O₁₀或M′₄V₂O₇，其中M′为Li、Na或K，M″为Ca、Ba或Pb，X为F或Cl；熔体降至饱和温度以上2～10℃，引入籽晶，经恒温后降至饱和温度；并以此为起始温度，以0.01～1℃/天速率降温；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，以不大于20℃/h速率降至室温，得CsLiB₆O₁₀晶体。该方法可降低生长温度，减小生长体系挥发性和粘度，利于溶质传输，可长出高光学质量光学晶体。

主权项

1. 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法，包括如下步骤：1)配料及预处理：将CsLiB6O10与助熔剂按摩尔比为1∶0.01～30配料，并进行预处理，得到熔体；所述的助熔剂为M′X、M″X2、PbO、Bi2O3、M′3Mo3O10或M′4V2O7，其中M′为Li、Na或K，M″为Ca、Ba或Pb，X为F或Cl；2)下籽晶：将步骤1)得到的熔体降至饱和温度以上2～10℃，将已固定在籽晶杆上的籽晶引入至熔体表面或熔体中，恒温15～30分钟后，降至饱和温度；3)生长晶体：将籽晶以10～80转/分的速率旋转，恒温20分钟后，立即降温至饱和温度；再以饱和温度作为降温的起始温度，以0.01～1℃/天的速率降温，进行晶体生长；其晶体生长的方向为任意方向；4)出炉：待晶体生长至所需尺寸后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，以不大于20℃/h的速率降温至室温，得到CsLiB6O10晶体。