[发明专利]一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法

权利要求书

1.一种CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，包括如下步骤：

1)配料及预处理：

将CsLiB₆O₁₀与助熔剂按摩尔比为1∶0.01～30配料，并进行预处理，得到熔体；

所述的助熔剂为M′X、M″X₂、PbO、Bi₂O₃、M′₃Mo₃O₁₀或M′₄V₂O₇，其中M′为Li、Na或K，M″为Ca、Ba或Pb，X为F或Cl；

2)下籽晶：

将步骤1)得到的熔体降至饱和温度以上2～10℃，将已固定在籽晶杆上的籽晶引入至熔体表面或熔体中，恒温15～30分钟后；

3)生长晶体：

将籽晶以10～80转/分的速率旋转，恒温20分钟后，立即降温至饱和温度；再以饱和温度作为降温的起始温度，以0.01～1℃/天的速率降温，进行晶体生长；

其晶体生长的方向为任意方向；

4)出炉：

待晶体生长至所需尺寸后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，以不大于20℃/h的速率降温至室温，得到CsLiB₆O₁₀晶体。

2.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤1)的预处理为将配好的原料研磨混合均匀后置入刚玉坩锅中，于马弗炉中加热至少20小时，缓慢升温至500℃，分批熔化于铂坩锅中，冷却至室温。

3.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤1)中的预处理为将配好的原料直接熔化于铂坩锅中，冷却至室温。

4.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤1)中的化合物CsLiB₆O₁₀以下述步骤制备而成：将含纯度为99.99％的Cs₂CO₃、Li₂CO₃和H₃BO₃原料以摩尔比Cs₂CO₃∶Li₂CO₃∶H₃BO₃＝1∶1∶6混合均匀后，进行固相化学合成发应，生成化合物CsLiB₆O₁₀。

5.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤1)中的PbO使用与其Pb含量相同的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、硼酸盐或氢氧化铅替代。

6.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤1)的Bi₂O₃使用与其Bi含量相同的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、硼酸盐或氢氧化物替代。

7.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤2)的籽晶用铂丝固定于在籽晶杆下端。

8.如权利要求1所述的CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的步骤3)的晶体生长的方向为“100”或“001”。