[发明专利]硅片脱附的方法有效
| 申请号： | 200710062731.9 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101226871A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 彭东阳 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/306;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;任红 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片脱附的方法，首先向静电卡盘增加反向电压，消除静电卡盘内部的静电荷，同时，通过将惰性气体电离成等离子体，利用离子的导电性，消除硅片表面的残余电荷，并通过硅片背面的背吹He气从硅片与静电卡盘之间泄漏的流量，判断硅片是否完全脱附。工艺集成度高、安全、生产效率高，尤其适用与半导体硅片加工工艺中，硅片与静电卡盘之间的脱附。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片脱附的方法，其特征在于，包括步骤：A、去掉静电卡盘的正向电压，并向静电卡盘增加反向电压；B、向反应腔室内通入惰性气体，并开启射频源，将惰性气体电离成等离子体；C、通过硅片背面的背吹He气从硅片与静电卡盘之间泄漏的流量，判断硅片是否脱附，当背吹He气的泄漏量大于设定值时，判断为硅片完全脱附。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
