[发明专利]硅片脱附的方法有效
| 申请号： | 200710062731.9 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101226871A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 彭东阳 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/306;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;任红 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 方法 | ||
1.一种硅片脱附的方法，其特征在于，包括步骤：
A、去掉静电卡盘的正向电压，并向静电卡盘增加反向电压；
B、向反应腔室内通入惰性气体，并开启射频源，将惰性气体电离成等离子体；
C、通过硅片背面的背吹He气从硅片与静电卡盘之间泄漏的流量，判断硅片是否脱附，当背吹He气的泄漏量大于设定值时，判断为硅片完全脱附。
2.根据权利要求1所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤A之前，首先将摆阀打开，向反应腔室持续通入一定流量的惰性气体。
3.根据权利要求1所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤A中，向静电卡盘增加反向电压的大小为700～1200V，时间为1～5s。
4.根据权利要求1所述的硅片脱附的方法，其特征在于，
所述的步骤A中，控制硅片背面的背吹He气的压力为硅片正常刻蚀工艺中的压力值；
所述的步骤B和步骤C中，控制硅片背面的背吹He气的压力为2～9Torr。
5.根据权利要求4所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤B和步骤C中，控制硅片背面的背吹He气的压力为4～6Torr。
6.根据权利要求5所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤B和步骤C中，控制硅片背面的背吹He气的压力为5Torr。
7.根据权利要求1、4、5或6所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤C中，所述的背吹He气的泄漏量的设定值为当静电卡盘上没有硅片时，同样压力下He气流量的90％。
8.根据权利要求1、4、5或6所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤C中，所述的背吹He气的泄漏量的设定值为4～6sccm。
9.根据权利要求7所述的硅片脱附的方法，其特征在于，所述的步骤C中，所述的背吹He气的泄漏量的设定值为5sccm。
10.根据权利要求1至6任一项所述的硅片脱附的方法，其特征在于，还包括步骤：
D、根据背吹He气的泄漏流量达到设定值的时间，调节向静电卡盘增加反向电压的大小和时间，使硅片脱附的时间达到最小值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
