[发明专利]重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法有效
| 申请号： | 200710061684.6 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101110356A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;袁肇耿;陈秉克;薛宏伟 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/30;H01L21/302 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法。本发明采用化学气相沉积技术，在n型重掺砷硅衬底上分两次生长轻掺的薄硅外延层。即生长完第一层本征外延层后，降至870－930℃取出，此期间通入HCl腐蚀基座除去记忆效应，腐蚀完成后，再把该片在870－930℃下装炉，重新生长余下的外延层。经用扩展电阻分析仪对用常规方法和本发明的方法制得的外延层进行检验、比较，发现本发明所述方法制得的外延层过渡区陡峭，外延层的电阻率的均匀性很好。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺砷 衬底 外延 过渡 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法，它包括将衬底装炉、升温、通入氯化氢抛光、通入大流量氢气冲洗、通入三氯氢硅用化学气相沉积方法在衬底上生长出一层本征外延层，形成硅片，其特征在于，还包括以下措施和步骤：A在生长完一层本征外延层后，降至870-930℃开炉并取出硅片；B取出硅片期间，向炉内通入氯化氢腐蚀基座；C腐蚀完成后，在870-930℃时，再把该硅片装炉；D再次用化学气相沉积方法生长外延层，直到外延层达到要求的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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