[发明专利]重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法

权利要求书

1.重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法，它包括将衬底装炉、升温、通入氯化氢抛光、通入大流量氢气冲洗、通入三氯氢硅用化学气相沉积方法在衬底上生长出一层本征外延层，形成硅片，其特征在于，还包括以下措施和步骤：

A在生长完一层本征外延层后，降至870-930℃开炉并取出硅片；

B取出硅片期间，向炉内通入氯化氢腐蚀基座；

C腐蚀完成后，在870-930℃时，再把该硅片装炉；

D再次用化学气相沉积方法生长外延层，直到外延层达到要求的厚度。

2.根据权利要求1所述的重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法，其特征在于工艺参数还包括以下参数范围：

a  第二次生长温度：1130～1170℃，

b  两次外延间的腐蚀时间为15～120秒，

c  两次外延间的腐蚀温度为：1130～1190℃。