[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710056303.5 | 申请日： | 2007-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101159178A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李会斌;王宁;刘星元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00;C23C14/24;C23C14/08;G09F9/30;H05B33/28 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可广泛应用于液晶显示屏、电致发光显示器、太阳能电池、薄膜晶体管、有机和无机半导体激光器、隔热节能玻璃等技术领域的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜是在主体材料In2O3中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(In2O3:V)，简称为IVO，该IVO材料中V的含量为In质量的0.1％～30％。该薄膜可采用高真空热蒸发、电子束沉积以及溅射等多种镀膜技术制备。该薄膜成膜牢固，具有良好的导电性、可见光透明性和化学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，是在主体材料In2O3中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(In2O3:V)，简称为IVO，该IVO材料中V与In的质量比为0.1％～30％。
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