[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，其特征在于，是在主体材料In₂O₃中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(In₂O₃:V)，简称为IVO，该IVO材料中V与In的质量比为0.1％～30％。

2.一种制备权利要求1所述的透明导电薄膜的方法，其特征在于是在真空镀膜机中采用真空热蒸发法获得所述的透明导电薄膜，具体步骤如下：

a.将用去离子水与丙酮超声清洗过的玻璃衬底用干燥的氮气吹干之后放入真空室中，并将真空室抽真空至室内压强低于5.0×10^-3Pa，然后对玻璃衬底进行加温，温度为70～350℃；

b.向真空室充入氧气，充入真空室内的氧气纯度为99.999％，充入氧气之后，控制真空室内压强为8×10^-3～2×10^-1Pa范围之内；

c.为避免衬底表面成分对IVO成膜特性的影响，先在衬底上生长一层SiO₂，厚度为1～15nm；

d.在SiO₂上采用双源共蒸的方式同时热蒸发金属In与V₂O₅材料，其中金属In的蒸发速率为0.2～3nm/s，V₂O₅蒸发速率为0.01～1nm/s，制得薄膜厚度范围为30nm～500nm。

3.一种制备权利要求1所述的透明导电薄膜的方法，其特征在于是在真空镀膜机中采用电子束沉积法获得所述的透明导电薄膜，具体步骤如下：

a.将用去离子水与丙酮超声清洗过的玻璃衬底用干燥的氮气吹干之后放入真空室中，并将真空室抽真空至室内压强低于5.0×10^-3Pa，然后对玻璃衬底进行加温，温度为70～350℃；

b.向真空室充入氧气，充入真空室内的氧气纯度为99.999％，充入氧气之后，控制真空室内压强为8×10^-3～2×10^-1Pa范围之内；

c.为避免衬底表面成分对IVO成膜特性的影响，先在衬底上生长一层Al₂O₃，厚度为1～15nm；

d.在Al₂O₃上采用电子束热蒸发法蒸发InV合金材料，蒸发速率为0.05～2nm/s，制得薄膜厚度范围为20nm～500nm。