[发明专利]用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710056189.6 | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101225549A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赵东旭;曹萍;吕有明;申德振;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B31/06 | 分类号： | C30B31/06;C30B33/00;H01L21/383 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料p型氧化锌薄膜的制备方法，特别是一种用，n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法，由以下工艺步骤实现：a.将已准备好的n型氧化锌薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积生长室；b.打开机械泵抽真空，使真空度小于50Pa；c.衬底加热到预定的温度100～200℃；d.通入氨气，打开射频电源，输入功率为10～30瓦，进行0.5～2h的氨等离子体氮化处理，即实现氧化锌薄膜从n型到p型的转变。本发明是利用等离子体化学气相沉积直接对n型氧化锌薄膜进行后处理，使其发生从n型到p型的转变。其优点是制备工艺简单、材料生长温度低、可以在常压下操作、可重复性比较高、得到的p型比较稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法，其特征在于由以下工艺步骤实现：a.将已准备好的n型氧化锌薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积生长室；b.打开机械泵抽真空，使真空度小于50Pa；c.衬底加热到预定的温度100～200℃；d.通入氨气，打开射频电源，输入功率为10～30瓦，进行0.5～2h的氨等离子体氮化处理，即实现氧化锌薄膜从n型到p型的转变。
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