[发明专利]金刚石膜的抛光方法

摘要

本发明涉及一种金刚石膜的抛光方法。金刚石膜的抛光方法，其特征在于它包括如下步骤：1).首先在金刚石膜表面镀涂能够与碳形成强碳化物的纯金属或合金；2).在真空炉中加热，真空度10^－1～10^－4Pa，加热温度大于800℃，时间5～30分钟，在表面形成碳化物层，厚度为0.05～0.5μm；3).在机械抛光机上，采用硬度比金刚石低的SiC或Al₂O₃作为磨料，对步骤2)所得的金刚石膜进行抛光，时间5～30分钟；4).用丙酮溶剂超声波清洗机械抛光后的金刚石膜，干燥，然后采用氧等离子体处理3～10分钟；然后，将金刚石膜用丙酮溶剂进行超声波清洗；5).重复步骤1)～4)过程1～30次。本发明具有粗糙度和平整度理想、抛光成本低、抛光效率高的特点。

主权项

1.金刚石膜的抛光方法，其特征在于它包括如下步骤：1)、首先在金刚石膜表面镀涂能够与碳形成强碳化物的纯金属或合金，得到表面镀涂有纯金属或合金的金刚石膜，镀涂层厚度为1μm～1mm，镀涂的方法采用下述之一：(1)物理气相沉积，(2)化学镀，(3)粉末涂敷方法；2)、将表面镀涂有纯金属或合金的金刚石膜在真空炉中加热，真空度10-1～10-4Pa，加热温度大于800℃，时间5～30分钟，在表面形成碳化物层，碳化物层厚度为0.05～0.5μm；3)、在机械抛光机上，采用硬度比金刚石低的SiC或Al2O3作为磨料，对步骤2)所得的金刚石膜进行抛光，时间5～30分钟，除去金刚石膜表面晶粒尖端部的凸出部分；4)、用丙酮溶剂超声波清洗机械抛光后的金刚石膜，干燥，然后采用氧等离子体处理3～10分钟，对金刚石膜表面晶粒凸出部位因抛光而暴露的金刚石进行刻蚀；然后，将金刚石膜用丙酮溶剂进行超声波清洗，除去附在表层的在氧等离子体刻蚀过程中形成的少量松散的氧化物；5)、重复步骤1)～4)过程1～30次，重复步骤中氧等离子体刻蚀时间随金刚石膜表面粗糙度降低，逐渐减少；直到金刚石膜表面粗糙度和平整度达到要求。