[发明专利]一种机械叠层AlSb/CIS薄膜太阳电池有效
申请号: | 200710051030.5 | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101217167A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 李卫;冯良桓;吕彬;蔡亚平;张静全;黎兵;武莉莉;雷智;孙震;谢晗科 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610064四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种机械叠层AlSb/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由AlSb顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中AlSb顶电池,指的是在Corning 7459玻璃上先沉积n型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在Soda lime玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 机械 alsb cis 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳电池,其结构为AlSb/CIS,其特征是:AlSb作为吸收层的顶电池直接叠合在CIS作为吸收层的底电池之上,形成双结四端的机械叠层薄膜太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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