[发明专利]SOI高压器件无效
| 申请号： | 200710050657.9 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101179097A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 方健;周贤达;张波;乔明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/43;H01L29/417;H01L29/786;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | SOI高压器件，属于电子技术领域中的SOI高压半导体器件。本发明提供的SOI高压器件包括二极管、LDMOS和LIGBT，其主要技术方案是将常规实心形状的阴极/漏极/集电极改成环形形状的阴极/漏极/集电极，使SOI高压器件工作于截止状态时的纵向电场分布的更加均匀，从而提高SOI高压器件击穿电压。本发明摒弃了通常采用的以提高I层耐压为途径来提高SOI高压器件纵向耐压的方式，通过改变器件局部结构以提高顶硅层耐压为途径同样达到提高SOI高压器件纵向耐压的效果，本发明可与常规CD工艺全兼容，与常规SOI高压器件的制备工艺相比不增加工艺难度及成本，具备很强的可实施性。 | ||
| 搜索关键词： | soi 高压 器件 | ||
【主权项】：
1.一种SOI高压二极管，包括衬底(5)、I层(7)、漂移区(2)、阳极(1)、阴极(3)、阳极金属引线(6)和阴极金属引线(4)；其特征在于，阴极(3)为环形重掺杂阴极。
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