[发明专利]SOI高压器件

权利要求书

1.一种SOI高压二极管，包括衬底(5)、I层(7)、漂移区(2)、阳极(1)、阴极(3)、阳极金属引线(6)和阴极金属引线(4)；其特征在于，阴极(3)为环形重掺杂阴极。

2.根据权利要求1所述的SOI高压二极管，其特征在于，所述环形重掺杂阴极为正圆环形重掺杂阴极或椭圆环形重掺杂阴极。

3.根据权利要求1或2所述的SOI高压二极管，其特征在于，所述环形重掺杂阴极的外径R₁与内径R₂满足关系：R22R12=qN(tSi-xj)ϵSiEm,]]>其中q为元电荷，N是漂移区掺杂浓度，t_Si是漂移区厚度，x_j是阴极的结深，ε_Si是硅的介电常数，E_m是硅的临界击穿电场。

4.根据权利要求1、2所述的SOI高压二极管，其特征在于，所述环形重掺杂阴极的环内侧区域为与漂移区(2)掺杂相反的异质掺杂区(9)。

5.根据权利要求1、2或3所述的SOI高压二极管，其特征在于，所述环形重掺杂阴极的环内侧区域为与漂移区(2)掺杂相同的区域。

6.根据权利要求1、2或3所述的SOI高压二极管，其特征在于，所述环形重掺杂阴极的环内侧区域为绝缘区域。

7.根据权利要求4所述的SOI高压二极管，其特征在于，所述异质掺杂区(9)纵向延伸至漂移区(2)内部，横向延伸至不超过环形重掺杂阴极的外径R₁的范围。

8.一种SOI高压LDMOS器件，包括衬底(5)、I层(7)、漂移区(2)、沟道区(8)、漏极(10)、栅极(11)、源极(12)、源极金属引线(6)和漏极金属引线(4)；其特征在于，漏极(10)为环形重掺杂漏极。

9.根据权利要求8所述的SOI高压LDMOS器件，其特征在于，所述环形重掺杂漏极为正圆环形重掺杂漏极或椭圆环形重掺杂漏极。