[发明专利]基于单根金属氧化物纳米线场效应管的微腔气敏传感器无效
| 申请号： | 200710045942.1 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101290302A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣;郑凯波;孙大林 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米与气敏传感器技术领域，具体涉及一种场效应管的微腔气敏传感器。该传感器采用在微腔内基于单根金属氧化物纳米线的气敏芯片设计，其中，纳米线材料可以是ZnO、SnO2、TiO2或In2O等。本发明的气敏传感器灵敏度高、响应速度快，无需外加热历而功耗小；可利用栅极电压来调制灵敏度和选择性；便于与其它分离装置结合作选择性探测。可用于O2、NO2、CO、H2、甲醛和酒精等气体的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 氧化物 纳米 场效应 微腔气敏 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种基于单根金属氧化物纳米线场效应晶体管的微腔气敏传感器，其特征在于由气敏芯片(1)、金丝引线(2)、管座(3)和玻璃盖(4)组成，其中，气敏芯片(1)粘结在管座(3)上，由金丝引线(2)引出电极，玻璃盖(4)与管座(3)封结，中间形成一微腔，两端由细管(5)引出，用以导入待探测气体；所述的气敏芯片(1)由金属氧化物纳米线、方块矩阵电极和基底组成，其中，单根金属氧化物纳米线(8)压在由光刻制备的方块矩阵电极下，两端作场效应管的源极(6)和漏极(9)，基底(10)采用P+硅片，作为场效应管的栅极，基底(10)上面表面制备有氧化层(7)。
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