[发明专利]基于单根金属氧化物纳米线场效应管的微腔气敏传感器

权利要求书

1、一种基于单根金属氧化物纳米线场效应晶体管的微腔气敏传感器，其特征在于由气敏芯片(1)、金丝引线(2)、管座(3)和玻璃盖(4)组成，其中，气敏芯片(1)粘结在管座(3)上，由金丝引线(2)引出电极，玻璃盖(4)与管座(3)封结，中间形成一微腔，两端由细管(5)引出，用以导入待探测气体；

所述的气敏芯片(1)由金属氧化物纳米线、方块矩阵电极和基底组成，其中，单根金属氧化物纳米线(8)压在由光刻制备的方块矩阵电极下，两端作场效应管的源极(6)和漏极(9)，基底(10)采用P+硅片，作为场效应管的栅极，基底(10)上面表面制备有氧化层(7)。

2、根据权利要求1所述的基于单根金属氧化物纳米线场效应晶体管的微腔气敏传感器，其特征在于所述的金属氧化物纳米线(8)的材料为ZnO、SnO₂、TiO₂或In₂O₃，或它们的掺杂物。

3、根据权利要求1所述的基于单根金属氧化物纳米线场效应晶体管的微腔气敏传感器，其特征在于所述氧化层(7)的材料为SiO₂₄、Si₃N₄或A1₂O₃。

4、根据权利要求1所述的基于单根金属氧化物纳米线场效应晶体管的微腔气敏传感器，其特征在于所述微腔内有平行的多个气敏芯片器件。