[发明专利]无BJT结构的新型CMOS电压基准源

摘要

本发明属于模拟集成基准源电路技术领域，具体为一种无BJT结构的CMOS电压基准源。它由启动电路，偏置电路和基准产生电路三部分连接组成。该电压基准源仅采用MOS管来实现基准电压，无需寄生三极管，因此结构简单，功耗低，面积小，适合于功率管驱动电路，电压检测电路等中等精度要求的应用。

主权项

1.一种无BJT结构的新型CMOS电压基准源，其特征在于由启动电路(1)，偏置电路(2)和基准电路(3)构成；其中启动电路(1)由MOS管MS1～MS3构成；偏置电路(2)由MOS管MB1～MB9和电阻Rb构成；基准电路(3)由PMOS管MP和NMOS管MN构成，其中PMOS管MP的栅极和漏极相连并接地，源极和NMOS管MN的漏极相连并一起连接到偏置电路(2)的PMOS管MB8的漏极，NMOS管MN的栅极和漏极相连并一起连接到PMOS管MP的源极，源极接到偏置电路(2)的NMOS管MB9的漏极，即电路的输出节点；启动电路(1)中的NMOS管MS2和MS3分别与偏置电路(2)中的NMOS管MB1和PMOS管MB3相连，偏置电路(2)中的NMOS管MB8和MB9分别与基准电路(3)的PMOS管MP和NMOS管MN相连。