[发明专利]无BJT结构的新型CMOS电压基准源无效
| 申请号： | 200710045196.6 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101109972A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 孔明;李文宏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bjt 结构 新型 cmos 电压 基准 | ||
【权利要求书】：
1.一种无BJT结构的新型CMOS电压基准源，其特征在于由启动电路(1)，偏置电路(2)和基准电路(3)构成；其中启动电路(1)由MOS管MS1～MS3构成；偏置电路(2)由MOS管MB1～MB9和电阻Rb构成；基准电路(3)由PMOS管MP和NMOS管MN构成，其中PMOS管MP的栅极和漏极相连并接地，源极和NMOS管MN的漏极相连并一起连接到偏置电路(2)的PMOS管MB8的漏极，NMOS管MN的栅极和漏极相连并一起连接到PMOS管MP的源极，源极接到偏置电路(2)的NMOS管MB9的漏极，即电路的输出节点；启动电路(1)中的NMOS管MS2和MS3分别与偏置电路(2)中的NMOS管MB1和PMOS管MB3相连，偏置电路(2)中的NMOS管MB8和MB9分别与基准电路(3)的PMOS管MP和NMOS管MN相连。
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