[发明专利]闪存单元结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200710045015.X | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369607A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 崔崟;季明华;陈军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/285;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存单元结构，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的第一介质层，位于第一介质层上的存储电荷层，位于存储电荷层上的第二介质层，和位于由第一介质层/存储电荷层/第二介质层组成的三层堆叠结构上的栅极，以及半导体衬底内位于三层堆叠结构两侧的源极和漏极，所述的存储电荷层包含有非金属离散原子岛。本发明还提供了一种闪存单元结构的制作方法。本发明可以有效地抑制阈值电压的漂移；可以提高闪存结构单元的电荷存储能力；可以避免采用金属材料而带来的金属离子沾污的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元结构，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的第一介质层，位于第一介质层上的存储电荷层，位于存储电荷层上的第二介质层，和位于由第一介质层/存储电荷层/第二介质层组成的三层堆叠结构上的栅极，以及半导体衬底内位于三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，所述的存储电荷层包含有非金属离散原子岛。
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