[发明专利]改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法有效
| 申请号： | 200710044966.5 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101113533A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 高相东;彭芳;李效民;于伟东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用作薄膜太阳电池的窗口层、以及压电、光电、气敏等多种领域。本方法成本低廉，无需真空环境或使用有机物和高温加热设备，适合于大面积、规模化薄膜材料制备。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 电化学 沉积 工艺 制备 单一 取向 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶粒尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。
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