[发明专利]低热阻大功率发光二极管的封装方法有效
申请号: | 200710044965.0 | 申请日: | 2007-08-17 |
公开(公告)号: | CN101369615A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 刘胜;陈明祥;罗小兵;刘宗源;王恺;甘志银 | 申请(专利权)人: | 广东昭信光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/50 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 李平 |
地址: | 528251佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种低热阻大功率发光二极管的封装方法,主要包括发光芯片、电极、引线、金属基板和含荧光粉的硅胶体,其特征在于所述金属基板经电镀工艺沉积于发光芯片底面。本发明的优点是发光芯片直接位于金属基板上,中间无焊料等中间粘结层,有效降低了封装热阻,提高了大功率LED封装散热能力,并且该封装方法可实现对LED阵列封装模块的批量制造,可靠性高,成本低。 | ||
搜索关键词: | 低热 大功率 发光二极管 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低热阻大功率发光二极管的封装方法,主要包括:发光芯片、电极、引线、金属基板和含荧光粉的硅胶体,其特征在于所述金属基板经电镀工艺直接沉积于发光芯片底面,该封装方法包含以下的步骤:A在平整的玻璃表面刷涂或旋涂一层环氧胶;B将发光芯片和电极片组成阵列反扣贴装在环氧胶层上;C采用蒸发或溅射工艺在芯片底部平面沉积一层金属种子层;D采用电镀工艺在金属种子层表面沉积基板金属层;E将电镀后的玻璃片整体浸泡在丙酮溶液中,使玻璃片和环氧胶层脱离;F采用打线、涂胶工艺,完成对低热阻大功率发光二极管封装。
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