[发明专利]低热阻大功率发光二极管的封装方法有效
| 申请号： | 200710044965.0 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369615A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;陈明祥;罗小兵;刘宗源;王恺;甘志银 | 申请（专利权）人： | 广东昭信光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 528251佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低热 大功率 发光二极管 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低热阻大功率发光二极管的封装方法，主要包括：发光芯片、电极、引线、金属基板和含荧光粉的硅胶体，其特征在于所述金属基板经电镀工艺直接沉积于发光芯片底面，该封装方法包含以下的步骤：
A在平整的玻璃表面刷涂或旋涂一层环氧胶；
B将发光芯片和电极片组成阵列反扣贴装在环氧胶层上，压平，使芯片、电极片底部处于同一个平面，并固化环氧胶，其中所述电极片由金属层和绝缘层组成；
C采用蒸发或溅射工艺在芯片底部平面沉积一层金属种子层；
D 采用电镀工艺在金属种子层表面沉积基板金属层；
E将电镀后的玻璃片整体浸泡在丙酮溶液中，使玻璃片和环氧胶层脱离；
F采用打线、涂胶工艺，完成对低热阻大功率发光二极管封装。
2.根据权利要求1所述的低热阻大功率发光二极管的封装方法，其特征在于所述金属基板材料为铜或铜合金、铝或铝合金。
3.根据权利要求1所述的低热阻大功率发光二极管的封装方法，其特征在于所述金属基板厚度为0.3-3.0mm。
4.根据权利要求1所述的低热阻大功率发光二极管的封装方法，其特征在于所述金属种子层材料为镍、铬、金。
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