[发明专利]集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片

摘要

一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片，其首先提供一具有第一区域与第二区域的基片，接着按照标准半导体工艺流程在所述第一区域制作包含栅导电层的集成电路，同时所述栅导电层及覆盖于所述栅导电层上的介质绝缘层延伸至所述第二区域，然后去除所述第二区域上的所述介质绝缘层并采用低于400℃的低温工艺在暴露出的栅导电层上依次生成第一膜层、牺牲层及第二膜层，然后腐蚀部分的牺牲层形成以所述暴露出的栅导电层与第一膜层共同作为电容一极、而所述第二膜层作为电容另一极的电容式微硅麦克风，由此实现集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成。

主权项

1.一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于包括步骤：1)提供一基片，其一表面具有用于生成集成电路的第一区域及用于生成电容式微硅麦克风的第二区域；2)按照标准半导体工艺流程在所述第一区域上生成集成电路，同时所述集成电路具有的栅导电层及覆盖于所述栅导电层上的介质绝缘层延伸至所述第二区域；3)去除所述第二区域上的所述介质绝缘层以暴露出位于所述第二区域上的栅导电层；4)采用低于400℃的低温工艺在位于所述第二区域上的栅导电层上生成第一膜层以使所述第一膜层与位于所述第二区域上的栅导电层组合形成的振动膜作为电容的一极；5)采用所述低温工艺在所述第一膜层上生成牺牲层；6)采用低温工艺在所述牺牲层上形成可导电的背极板以使所述背极板作为电容的另一极；7)在所述背极板进行光刻及腐蚀工艺以形成导气孔；8)腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层，进而使在第一膜层及背极板之间具有空气隙；9)在所述基片另一表面相对于第二区域处进行光刻及腐蚀以形成背腔。